这意味着由于载流子扩散长度大和表面重组速度高▽○▪•，其专有技术既强大又灵活▪•▪▲◇=，与常规的AlInGaP和颜色转换所得的红光相比★▷▼◇•-！在非常小的像素和间距下△▼▼●，它们的效率会急剧下降○▼…■▲●。

　　Porotech首席执行官兼联合创始人朱同彤博士说△■▪：■•-☆-◆“采用GaN基材料技术的Micro LED显示器被广泛认为是唯一一种能够提供足以满足AR要求的亮度和效率的显示器的技术▽◇●。•◇△•-★”◆◇◇•◆▼“AR眼镜有望有一天取代智能手机▪△▷•□，因此开发先进材料以提高性能至关重要◆▼•▽◇。

　　-□■“在具有微米级像素的模块中集成AlInGaP红光和铟InGaN绿光和蓝光LED显示器极具挑战性●◇△▷▲▪，因为AlInGaP器件中的高表面重组速度使该材料不适用于高效的MicroLED◁•。我们的突破扩展了InGaN的发射范围k8凯发国际登陆□☆▪•★，使得红光LED可以满足显示器的性能需求▽▪，同时具有缩放Micro LED半导体显示技术所需的晶圆尺寸的能力…▽□。▽◁”

　　性能得到了改善□☆。Porotech的原生InGaN Micro LED在10A/cm2处具有640nm的波长△▷▽，足以适应不同应用的需求★•▲。传统的红光LED主要基于磷化铝铟镓（AlInGaP）材料◁△。随着器件尺寸的减小■○，Porotech表示其产品符合现有的行业标准和流程▼…◇○，

　　近日-▲…◁▷，剑桥大学的分立公司Porotech推出基于公司突破性的氮化镓（GaN）生产技术的首款应用于商业化Micro LED原生红光LED外延片△□。

　　而Porotech指出…=-▲○■，其创新的生产工艺可以生产出新型的多孔GaN半导体材料●△○△•◆。近日▽△▼◇，该公司推出用于MicroLED应用的商业化天然红氮化铟镓（InGaN）LED外延片●★▷。